Rohm Semiconductor - RAQ045P01TCR

KEY Part #: K6402716

[2608τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    RAQ045P01TCR
    Κατασκευαστής:
    Rohm Semiconductor
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Μονάδες οδηγού ισχύος, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Rohm Semiconductor RAQ045P01TCR. Το RAQ045P01TCR μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το RAQ045P01TCR, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RAQ045P01TCR Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : RAQ045P01TCR
    Κατασκευαστής : Rohm Semiconductor
    Περιγραφή : MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Active
    Τύπος FET : P-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 12V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 4.5A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 40nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : -8V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 4200pF @ 6V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 600mW (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TSMT6 (SC-95)
    Πακέτο / Θήκη : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

    • GP1M007A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.

    • GP1M003A090C

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.

    • GP1M003A080CH

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 800V 3A DPAK.