Infineon Technologies - SI4435DYTR

KEY Part #: K6414707

[12662τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SI4435DYTR
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Θυρίστορ - SCRs ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies SI4435DYTR. Το SI4435DYTR μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI4435DYTR, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4435DYTR Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SI4435DYTR
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
    Σειρά : HEXFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : P-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 60nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2320pF @ 15V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.5W (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SO
    Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • 94-2335

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

    • IRLR8503

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.

    • IRFR18N15D

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.

    • IRLR3303TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.

    • IRLR3103TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

    • IRLIZ34G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP.