Littelfuse Inc. - MG06100S-BN4MM

KEY Part #: K6532739

MG06100S-BN4MM Τιμολόγηση (USD) [1178τεμ]

  • 1 pcs$34.04792
  • 10 pcs$31.98484
  • 25 pcs$30.54037
  • 100 pcs$28.88953

Αριθμός εξαρτήματος:
MG06100S-BN4MM
Κατασκευαστής:
Littelfuse Inc.
Λεπτομερής περιγραφή:
IGBT 600V 125A 330W PKG S.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCRs, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Littelfuse Inc. MG06100S-BN4MM. Το MG06100S-BN4MM μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το MG06100S-BN4MM, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

MG06100S-BN4MM Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : MG06100S-BN4MM
Κατασκευαστής : Littelfuse Inc.
Περιγραφή : IGBT 600V 125A 330W PKG S
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος IGBT : -
Διαμόρφωση : Half Bridge
Τάση - Κατανομή πομπού συλλέκτη (Max) : 600V
Ρεύμα - συλλέκτης (Ic) (μέγιστο) : 125A
Ισχύς - Μέγ : 330W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 100A
Τρέχουσα - Αποκοπή συλλέκτη (Max) : 1mA
Χωρητικότητα εισόδου (Cies) @ Vce : 6.2nF @ 25V
Εισαγωγή : Standard
NTC Thermistor : No
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο / Θήκη : S-3 Module
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : S3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT