IXYS - IXFA12N65X2

KEY Part #: K6394860

IXFA12N65X2 Τιμολόγηση (USD) [39211τεμ]

  • 1 pcs$0.99717

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFA12N65X2
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - JFET, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - RF and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFA12N65X2. Το IXFA12N65X2 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFA12N65X2, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFA12N65X2 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFA12N65X2
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH
Σειρά : HiPerFET™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 650V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 310 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 18.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1134pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 180W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-263AA
Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB