Infineon Technologies - BSC130P03LSGAUMA1

KEY Part #: K6409624

BSC130P03LSGAUMA1 Τιμολόγηση (USD) [130799τεμ]

  • 1 pcs$0.28278

Αριθμός εξαρτήματος:
BSC130P03LSGAUMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies BSC130P03LSGAUMA1. Το BSC130P03LSGAUMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BSC130P03LSGAUMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC130P03LSGAUMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BSC130P03LSGAUMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8
Σειρά : OptiMOS™
Κατάσταση εξαρτήματος : Not For New Designs
Τύπος FET : P-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta), 22.5A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 150µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 73.1nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 3670pF @ 15V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TDSON-8
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerTDFN

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FCD620N60ZF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-252-3.

  • RFD3055LESM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

  • FCD850N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK.

  • FCD5N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • FDD6N50TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • FDD10AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.