ON Semiconductor - FCP110N65F

KEY Part #: K6397450

FCP110N65F Τιμολόγηση (USD) [17545τεμ]

  • 1 pcs$2.34893
  • 800 pcs$1.67973

Αριθμός εξαρτήματος:
FCP110N65F
Κατασκευαστής:
ON Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 35A TO220.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - RF, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor FCP110N65F. Το FCP110N65F μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FCP110N65F, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP110N65F Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : FCP110N65F
Κατασκευαστής : ON Semiconductor
Περιγραφή : MOSFET N-CH 650V 35A TO220
Σειρά : FRFET®, SuperFET® II
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 650V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 3.5mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 145nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 4895pF @ 100V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 357W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220-3
Πακέτο / Θήκη : TO-220-3