Vishay Siliconix - SI8817DB-T2-E1

KEY Part #: K6397559

SI8817DB-T2-E1 Τιμολόγηση (USD) [534621τεμ]

  • 1 pcs$0.06953
  • 3,000 pcs$0.06918

Αριθμός εξαρτήματος:
SI8817DB-T2-E1
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - JFET, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC and Θυρίστορες - TRIAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI8817DB-T2-E1. Το SI8817DB-T2-E1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI8817DB-T2-E1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8817DB-T2-E1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI8817DB-T2-E1
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : P-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 76 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 19nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 615pF @ 10V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 4-Microfoot
Πακέτο / Θήκη : 4-XFBGA

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FCD7N60TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD2250N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.

  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • TK25A60X5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.