Infineon Technologies - IPP50CN10NGXKSA1

KEY Part #: K6409799

[157τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    IPP50CN10NGXKSA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 100V 20A TO-220.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Θυρίστορ - SCRs, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPP50CN10NGXKSA1. Το IPP50CN10NGXKSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPP50CN10NGXKSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPP50CN10NGXKSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : IPP50CN10NGXKSA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 100V 20A TO-220
    Σειρά : OptiMOS™
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 20A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 20µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 16nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1090pF @ 50V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 44W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PG-TO220-3
    Πακέτο / Θήκη : TO-220-3

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • FDD8778

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

    • PSMN2R2-40PS,127

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

    • SN7002N E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

    • SN7002N E6327

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

    • SN7002W E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323.

    • SPB80N03S2L-03

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK.