IXYS - IXFL80N50Q2

KEY Part #: K6402908

IXFL80N50Q2 Τιμολόγηση (USD) [3388τεμ]

  • 1 pcs$14.13146
  • 25 pcs$14.06115

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFL80N50Q2
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFL80N50Q2. Το IXFL80N50Q2 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFL80N50Q2, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFL80N50Q2 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFL80N50Q2
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 500V 64A ISOPLUS264
Σειρά : HiPerFET™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 500V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 55A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 260nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 10500pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 625W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : ISOPLUS264™
Πακέτο / Θήκη : ISOPLUS264™