IXYS - IXFX200N10P

KEY Part #: K6394682

IXFX200N10P Τιμολόγηση (USD) [9721τεμ]

  • 1 pcs$4.68680
  • 30 pcs$4.66349

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFX200N10P
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFX200N10P. Το IXFX200N10P μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFX200N10P, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX200N10P Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFX200N10P
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
Σειρά : HiPerFET™, PolarP2™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 200A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 235nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 7600pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 830W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PLUS247™-3
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3