ON Semiconductor - FDB10AN06A0

KEY Part #: K6411311

[13835τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    FDB10AN06A0
    Κατασκευαστής:
    ON Semiconductor
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Μονάδες οδηγού ισχύος and Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor FDB10AN06A0. Το FDB10AN06A0 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το FDB10AN06A0, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDB10AN06A0 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : FDB10AN06A0
    Κατασκευαστής : ON Semiconductor
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
    Σειρά : PowerTrench®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta), 75A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 75A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 37nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1840pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 135W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-263AB
    Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • BS170_L34Z

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

    • VN2410LG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92.

    • VN2222LLG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92.

    • FDD6672A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 65A D-PAK.

    • FDD2570

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK.

    • FDD068AN03L

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 35A D-PAK.