Vishay Siliconix - SQJ202EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525246

SQJ202EP-T1_GE3 Τιμολόγηση (USD) [147465τεμ]

  • 1 pcs$0.25082
  • 3,000 pcs$0.21196

Αριθμός εξαρτήματος:
SQJ202EP-T1_GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - JFET and Δίοδοι - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SQJ202EP-T1_GE3. Το SQJ202EP-T1_GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SQJ202EP-T1_GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ202EP-T1_GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SQJ202EP-T1_GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
Σειρά : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : 2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Standard
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 12V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 20A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 22nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 975pF @ 6V
Ισχύς - Μέγ : 27W, 48W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® SO-8 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric