Taiwan Semiconductor Corporation - TSM4435BCS RLG

KEY Part #: K6401255

[3114τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    TSM4435BCS RLG
    Κατασκευαστής:
    Taiwan Semiconductor Corporation
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Taiwan Semiconductor Corporation TSM4435BCS RLG. Το TSM4435BCS RLG μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το TSM4435BCS RLG, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TSM4435BCS RLG Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : TSM4435BCS RLG
    Κατασκευαστής : Taiwan Semiconductor Corporation
    Περιγραφή : MOSFET P-CHANNEL 30V 9.1A 8SOP
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : P-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 9.1A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 9.1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 3.2nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 15V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.5W (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SOP
    Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • LND150N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

    • DN2530N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3.

    • AUIRLR024ZTRL

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

    • IRFIBC30GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP.

    • SI1428EDH-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CHANNEL 30V 4A SC70-6.

    • TPC8048-H(TE12L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP.