Αριθμός εξαρτήματος :
BSP295H6327XTSA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT223
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
1.8A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
300 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 400µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
17nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
368pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
1.8W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PG-SOT223-4
Πακέτο / Θήκη :
TO-261-4, TO-261AA