Αριθμός εξαρτήματος :
NTP5860NG
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 60V 220A TO-220-3
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
220A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
180nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
10760pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
283W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-220AB