Αριθμός εξαρτήματος :
TK5P53D(T6RSS-Q)
Κατασκευαστής :
Toshiba Semiconductor and Storage
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 525V 5A DPAK-3
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
525V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
5A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
11nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
540pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
80W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
D-Pak
Πακέτο / Θήκη :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63