Toshiba Semiconductor and Storage - SSM3K316T(TE85L,F)

KEY Part #: K6406813

[1189τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    SSM3K316T(TE85L,F)
    Κατασκευαστής:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 30V 4A TSM.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Μονάδες οδηγού ισχύος, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K316T(TE85L,F). Το SSM3K316T(TE85L,F) μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SSM3K316T(TE85L,F), παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SSM3K316T(TE85L,F) Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : SSM3K316T(TE85L,F)
    Κατασκευαστής : Toshiba Semiconductor and Storage
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 4A TSM
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 1.8V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 53 mOhm @ 3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 4.3nC @ 4V
    Vgs (Max) : ±12V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 270pF @ 10V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 700mW (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TSM
    Πακέτο / Θήκη : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • CPH6341-TL-E

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 30V 5A CPH6.

    • IRLR8256PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.

    • IRLR8259PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.

    • NDF08N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.

    • NDF05N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V TO-220FP.

    • NDF06N60ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP.