Vishay Semiconductor Diodes Division - V12P10-M3/86A

KEY Part #: K6455864

V12P10-M3/86A Τιμολόγηση (USD) [187506τεμ]

  • 1 pcs$0.19726
  • 1,500 pcs$0.17958
  • 3,000 pcs$0.16761
  • 7,500 pcs$0.15963

Αριθμός εξαρτήματος:
V12P10-M3/86A
Κατασκευαστής:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12 Amp 100 Volt
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division V12P10-M3/86A. Το V12P10-M3/86A μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το V12P10-M3/86A, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

V12P10-M3/86A Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : V12P10-M3/86A
Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
Περιγραφή : DIODE SCHOTTKY 100V 12A TO277A
Σειρά : eSMP®, TMBS®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος διόδου : Schottky
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 100V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 12A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 700mV @ 12A
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : -
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 250µA @ 100V
Χωρητικότητα @ Vr, F : -
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : TO-277, 3-PowerDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-277A (SMPC)
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : -40°C ~ 150°C

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns

  • 1N4150W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns