Infineon Technologies - BAS16E6327HTSA1

KEY Part #: K6455771

BAS16E6327HTSA1 Τιμολόγηση (USD) [3047293τεμ]

  • 1 pcs$0.06328
  • 10 pcs$0.05893
  • 100 pcs$0.03211
  • 500 pcs$0.01977
  • 1,000 pcs$0.01348

Αριθμός εξαρτήματος:
BAS16E6327HTSA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Δίοδοι - RF, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies BAS16E6327HTSA1. Το BAS16E6327HTSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BAS16E6327HTSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS16E6327HTSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : BAS16E6327HTSA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Last Time Buy
Τύπος διόδου : Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) : 80V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 250mA (DC)
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1.25V @ 150mA
Ταχύτητα : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) : 4ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 1µA @ 75V
Χωρητικότητα @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-23-3
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση : 150°C (Max)

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • BAS16-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V

  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDSH-4E TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers Enh Spec Schottky 40Vrrm 200mA 250mW

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA