ON Semiconductor - NDD05N50ZT4G

KEY Part #: K6406477

NDD05N50ZT4G Τιμολόγηση (USD) [1306τεμ]

  • 2,500 pcs$0.14654

Αριθμός εξαρτήματος:
NDD05N50ZT4G
Κατασκευαστής:
ON Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - JFET, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορ - SCRs and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor NDD05N50ZT4G. Το NDD05N50ZT4G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το NDD05N50ZT4G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDD05N50ZT4G Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : NDD05N50ZT4G
Κατασκευαστής : ON Semiconductor
Περιγραφή : MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 500V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 4.7A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 18.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 83W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : DPAK
Πακέτο / Θήκη : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει