Diodes Incorporated - ZXMN10A11GTA

KEY Part #: K6407572

ZXMN10A11GTA Τιμολόγηση (USD) [257918τεμ]

  • 1 pcs$0.14341
  • 1,000 pcs$0.12877

Αριθμός εξαρτήματος:
ZXMN10A11GTA
Κατασκευαστής:
Diodes Incorporated
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - JFET, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - RF and Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Diodes Incorporated ZXMN10A11GTA. Το ZXMN10A11GTA μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το ZXMN10A11GTA, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMN10A11GTA Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : ZXMN10A11GTA
Κατασκευαστής : Diodes Incorporated
Περιγραφή : MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 1.7A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 5.4nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 274pF @ 50V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-223
Πακέτο / Θήκη : TO-261-4, TO-261AA

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVN0124A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3.

  • ZVNL110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVN4206AVSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • 2N7000-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3.

  • BS170_J35Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • IRLR8729TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 58A DPAK.