Microsemi Corporation - APT20M22B2VFRG

KEY Part #: K6413331

[8413τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    APT20M22B2VFRG
    Κατασκευαστής:
    Microsemi Corporation
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - JFET and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Microsemi Corporation APT20M22B2VFRG. Το APT20M22B2VFRG μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το APT20M22B2VFRG, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APT20M22B2VFRG Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : APT20M22B2VFRG
    Κατασκευαστής : Microsemi Corporation
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
    Σειρά : POWER MOS V®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 200V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 100A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 500mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 2.5mA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 435nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 10200pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 520W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : T-MAX™ [B2]
    Πακέτο / Θήκη : TO-247-3 Variant

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • IRF5802TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • 2N7000RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BTS282Z E3180A

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

    • 2SK3127(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 45A TO220SM.

    • FQD4P25TF

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK.

    • FQD4N25TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 250V 3A DPAK.