Αριθμός εξαρτήματος :
SIB457EDK-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
44nC @ 8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® SC-75-6L Single
Πακέτο / Θήκη :
PowerPAK® SC-75-6L