Αριθμός εξαρτήματος :
SI7922DN-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος FET :
2 N-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό :
Logic Level Gate
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
195 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
8nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο / Θήκη :
PowerPAK® 1212-8 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® 1212-8 Dual