IXYS - IXFQ24N50P2

KEY Part #: K6395012

IXFQ24N50P2 Τιμολόγηση (USD) [27164τεμ]

  • 1 pcs$1.67713
  • 30 pcs$1.66879

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFQ24N50P2
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
500V POLAR2 HIPERFETS.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - RF, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFQ24N50P2. Το IXFQ24N50P2 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFQ24N50P2, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFQ24N50P2 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFQ24N50P2
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : 500V POLAR2 HIPERFETS
Σειρά : HiPerFET™, PolarP2™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 500V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 24A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 270 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 48nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2890pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 480W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-3P
Πακέτο / Θήκη : TO-3P-3, SC-65-3