Vishay Siliconix - SI2367DS-T1-GE3

KEY Part #: K6416851

SI2367DS-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [575693τεμ]

  • 1 pcs$0.06425
  • 3,000 pcs$0.06069

Αριθμός εξαρτήματος:
SI2367DS-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - JFET, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ and Θυρίστορες - TRIAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI2367DS-T1-GE3. Το SI2367DS-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI2367DS-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2367DS-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI2367DS-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : P-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 3.8A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 23nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 561pF @ 10V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-23-3 (TO-236)
Πακέτο / Θήκη : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • 2N7000BU

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • ZVN4424A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 260MA TO92-3.

  • 2N7000-D26Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • IRLR7833

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 140A DPAK.

  • IRLR3410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

  • IRFR5410TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.