Αριθμός εξαρτήματος :
IXKN75N60C
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 600V 75A SOT-227B
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
600V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
75A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 5mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
500nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET χαρακτηριστικό :
Super Junction
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
560W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
SOT-227B
Πακέτο / Θήκη :
SOT-227-4, miniBLOC