Vishay Siliconix - SI8802DB-T2-E1

KEY Part #: K6416944

SI8802DB-T2-E1 Τιμολόγηση (USD) [585532τεμ]

  • 1 pcs$0.06349
  • 3,000 pcs$0.06317

Αριθμός εξαρτήματος:
SI8802DB-T2-E1
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF and Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI8802DB-T2-E1. Το SI8802DB-T2-E1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI8802DB-T2-E1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8802DB-T2-E1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI8802DB-T2-E1
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 8V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : -
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 6.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 500mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 4-Microfoot
Πακέτο / Θήκη : 4-XFBGA

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.