Central Semiconductor Corp - CBR1A-020

KEY Part #: K6541727

[12280τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    CBR1A-020
    Κατασκευαστής:
    Central Semiconductor Corp
    Λεπτομερής περιγραφή:
    BRIDGE RECT 1P 200V 1.5A A CASE.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - RF, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ and Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Central Semiconductor Corp CBR1A-020. Το CBR1A-020 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το CBR1A-020, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    CBR1A-020 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : CBR1A-020
    Κατασκευαστής : Central Semiconductor Corp
    Περιγραφή : BRIDGE RECT 1P 200V 1.5A A CASE
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Single Phase
    Τεχνολογία : Standard
    Τάση - Αντίστροφη αιχμή (Max) : 200V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 1.5A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1V @ 1A
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 10µA @ 200V
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -65°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο / Θήκη : 4-Circular, A Case
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : A Case
    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • DBA250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A.

    • DBG250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.6A.

    • GBJ2010-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJ.

    • GBJ20005-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 50V 20A GBJ.

    • GBJ2004-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1PHASE 400V 20A GBJ.

    • VSIB6A60-E3/45

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      BRIDGE RECT 1P 600V 2.8A GSIB-5S.