Vishay Semiconductor Diodes Division - GBU4JL-5707E3/45

KEY Part #: K6541719

[12283τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    GBU4JL-5707E3/45
    Κατασκευαστής:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Λεπτομερής περιγραφή:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Semiconductor Diodes Division GBU4JL-5707E3/45. Το GBU4JL-5707E3/45 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το GBU4JL-5707E3/45, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GBU4JL-5707E3/45 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : GBU4JL-5707E3/45
    Κατασκευαστής : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Περιγραφή : BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBU
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος διόδου : Single Phase
    Τεχνολογία : Standard
    Τάση - Αντίστροφη αιχμή (Max) : 600V
    Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) : 3A
    Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν : 1V @ 4A
    Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr : 5µA @ 600V
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο / Θήκη : 4-SIP, GBU
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : GBU

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • DBA250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A.

    • DBG250G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3.6A.

    • DBF10G

      ON Semiconductor

      BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A.

    • TB4S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 400V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers RECT BRIDGE .8A 400V

    • TB6S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 600V 800MA 4TBS.

    • TB2S-G

      Comchip Technology

      BRIDGE RECT 1P 200V 800MA 4TBS. Bridge Rectifiers VR=200V IF(AV)=1A