Αριθμός εξαρτήματος :
IPD80R1K0CEBTMA1
Κατασκευαστής :
Infineon Technologies
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Κατάσταση εξαρτήματος :
Discontinued at Digi-Key
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
800V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
5.7A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
950 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.9V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
31nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
785pF @ 100V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
83W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-252-3
Πακέτο / Θήκη :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63