Αριθμός εξαρτήματος :
SI3410DV-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19.5 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
33nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1295pF @ 15V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
2W (Ta), 4.1W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
6-TSOP
Πακέτο / Θήκη :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6