ON Semiconductor - NTHD3133PFT1G

KEY Part #: K6408433

[629τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    NTHD3133PFT1G
    Κατασκευαστής:
    ON Semiconductor
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας and Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor NTHD3133PFT1G. Το NTHD3133PFT1G μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το NTHD3133PFT1G, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTHD3133PFT1G Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : NTHD3133PFT1G
    Κατασκευαστής : ON Semiconductor
    Περιγραφή : MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : P-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 20V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 3.2A (Tj)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 7.4nC @ 4.5V
    Vgs (Max) : ±8V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 680pF @ 10V
    FET χαρακτηριστικό : Schottky Diode (Isolated)
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 1.1W (Ta)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : ChipFET™
    Πακέτο / Θήκη : 8-SMD, Flat Lead

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει