Rohm Semiconductor - RS1E350BNTB

KEY Part #: K6394137

RS1E350BNTB Τιμολόγηση (USD) [137196τεμ]

  • 1 pcs$0.29804
  • 2,500 pcs$0.29656

Αριθμός εξαρτήματος:
RS1E350BNTB
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Θυρίστορ - SCR - Μονάδες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Rohm Semiconductor RS1E350BNTB. Το RS1E350BNTB μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το RS1E350BNTB, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1E350BNTB Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : RS1E350BNTB
Κατασκευαστής : Rohm Semiconductor
Περιγραφή : MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 30V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 35A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 185nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 7900pF @ 15V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 35W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-HSOP
Πακέτο / Θήκη : 8-PowerTDFN

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • TN5325N3-G-P002

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • ZVP4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3.

  • ZVN4206ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3.

  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • ZVN4210ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.