Vishay Siliconix - SI4668DY-T1-GE3

KEY Part #: K6394368

SI4668DY-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [167720τεμ]

  • 1 pcs$0.22053
  • 2,500 pcs$0.20708

Αριθμός εξαρτήματος:
SI4668DY-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - RF and Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI4668DY-T1-GE3. Το SI4668DY-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI4668DY-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4668DY-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI4668DY-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 25V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 16.2A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 42nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1654pF @ 15V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SO
Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVN0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

  • FDD86569-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 90A DPAK.

  • IRLIZ44G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP.

  • IRFI830G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP.

  • IRLIZ24G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP.

  • SI3134KL-TP

    Micro Commercial Co

    N-CHANNEL MOSFET SOT-883 PACKAG.