Global Power Technologies Group - GP1M008A050FG

KEY Part #: K6402620

[2641τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    GP1M008A050FG
    Κατασκευαστής:
    Global Power Technologies Group
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 500V 8A TO220F.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Global Power Technologies Group GP1M008A050FG. Το GP1M008A050FG μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το GP1M008A050FG, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP1M008A050FG Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : GP1M008A050FG
    Κατασκευαστής : Global Power Technologies Group
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
    Σειρά : -
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 500V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 850 mOhm @ 4A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 21nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 937pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 39W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220F
    Πακέτο / Θήκη : TO-220-3 Full Pack

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • CPH6354-TL-H

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • GP2M005A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

    • GP2M005A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.