Αριθμός εξαρτήματος :
DMN10H170SFG-7
Κατασκευαστής :
Diodes Incorporated
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
122 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
14.9nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
870.7pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
940mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerDI3333-8
Πακέτο / Θήκη :
8-PowerWDFN