IXYS - IXFN30N110P

KEY Part #: K6401312

IXFN30N110P Τιμολόγηση (USD) [2445τεμ]

  • 1 pcs$18.69217
  • 10 pcs$18.59918

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFN30N110P
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες and Θυρίστορες - TRIAC ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFN30N110P. Το IXFN30N110P μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFN30N110P, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN30N110P Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFN30N110P
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Σειρά : Polar™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 360 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6.5V @ 1mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 235nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 13600pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 695W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Chassis Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : SOT-227B
Πακέτο / Θήκη : SOT-227-4, miniBLOC

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • LND150N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • DN2530N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3.

  • IRFIBC30GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP.

  • TPC8048-H(TE12L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP.

  • SI4628DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC.

  • IRF720SPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK.