Vishay Siliconix - SI9407BDY-T1-E3

KEY Part #: K6393628

SI9407BDY-T1-E3 Τιμολόγηση (USD) [142562τεμ]

  • 1 pcs$0.25945
  • 2,500 pcs$0.24363

Αριθμός εξαρτήματος:
SI9407BDY-T1-E3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - RF, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays and Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI9407BDY-T1-E3. Το SI9407BDY-T1-E3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI9407BDY-T1-E3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI9407BDY-T1-E3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI9407BDY-T1-E3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : P-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 4.7A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 600pF @ 30V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : 8-SO
Πακέτο / Θήκη : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VN2410L-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • TN0620N3-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • FDD6630A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK.

  • FDD4243

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK.

  • FCD5N60-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • IXTY02N50D

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.