EPC - EPC2001C

KEY Part #: K6417096

EPC2001C Τιμολόγηση (USD) [41490τεμ]

  • 1 pcs$0.98973
  • 2,500 pcs$0.98481

Αριθμός εξαρτήματος:
EPC2001C
Κατασκευαστής:
EPC
Λεπτομερής περιγραφή:
GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός, Δίοδοι - RF, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction and Θυρίστορ - SCRs ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα EPC EPC2001C. Το EPC2001C μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το EPC2001C, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2001C Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : EPC2001C
Κατασκευαστής : EPC
Περιγραφή : GANFET TRANS 100V 36A BUMPED DIE
Σειρά : eGaN®
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : GaNFET (Gallium Nitride)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 36A (Ta)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 5mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 9nC @ 5V
Vgs (Max) : +6V, -4V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 50V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : -
Θερμοκρασία λειτουργίας : -40°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : Die Outline (11-Solder Bar)
Πακέτο / Θήκη : Die
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.