Αριθμός εξαρτήματος :
GP1M006A065F
Κατασκευαστής :
Global Power Technologies Group
Περιγραφή :
MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
650V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
5.5A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.6 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
17nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1177pF @ 25V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
39W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-220F
Πακέτο / Θήκη :
TO-220-3 Full Pack