IXYS - IXTR210P10T

KEY Part #: K6395334

IXTR210P10T Τιμολόγηση (USD) [4795τεμ]

  • 1 pcs$9.98701
  • 30 pcs$9.93732

Αριθμός εξαρτήματος:
IXTR210P10T
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Θυρίστορ - SCRs, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto and Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXTR210P10T. Το IXTR210P10T μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXTR210P10T, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTR210P10T Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXTR210P10T
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET P-CH 100V 158A ISOPLUS247
Σειρά : TrenchP™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : P-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 100V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 195A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 740nC @ 10V
Vgs (Max) : ±15V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 69500pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 595W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : ISOPLUS247™
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • FDN359BN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 2.7A SSOT3.

  • FDN358P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3.

  • SIHA120N60E-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHAN E SERIES 600V THIN.

  • SIHG120N60E-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET E SERIES 600V TO247AC.

  • IRFP244PBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 250V 15A TO-247AC.

  • CSD25304W1015

    Texas Instruments

    MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA.