IXYS - IXTP2N100P

KEY Part #: K6417870

IXTP2N100P Τιμολόγηση (USD) [44010τεμ]

  • 1 pcs$1.02686
  • 50 pcs$1.02175

Αριθμός εξαρτήματος:
IXTP2N100P
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Θυρίστορ - SCRs, Θυρίστορες - TRIAC, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays and Δίοδοι - RF ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXTP2N100P. Το IXTP2N100P μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXTP2N100P, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP2N100P Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXTP2N100P
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220
Σειρά : Polar™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1000V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 24.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 655pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 86W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-220AB
Πακέτο / Θήκη : TO-220-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.