Infineon Technologies - BTS113ANKSA1

KEY Part #: K6409924

[113τεμ]


    Αριθμός εξαρτήματος:
    BTS113ANKSA1
    Κατασκευαστής:
    Infineon Technologies
    Λεπτομερής περιγραφή:
    MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB.
    Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
    Σε απόθεμα
    Διάρκεια ζωής:
    Ενας χρόνος
    Chip Από:
    Χονγκ Κονγκ
    RoHS:
    Μέθοδος πληρωμής:
    Τρόπος αποστολής:
    Κατηγορίες Οικογένειας:
    KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays and Θυρίστορ - SCRs ...
    Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
    Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies BTS113ANKSA1. Το BTS113ANKSA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το BTS113ANKSA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BTS113ANKSA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

    Αριθμός εξαρτήματος : BTS113ANKSA1
    Κατασκευαστής : Infineon Technologies
    Περιγραφή : MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
    Σειρά : TEMPFET®
    Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
    Τύπος FET : N-Channel
    Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
    Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 60V
    Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 11.5A (Tc)
    Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 5.8A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : -
    Vgs (Max) : ±10V
    Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 560pF @ 25V
    FET χαρακτηριστικό : -
    Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 40W (Tc)
    Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
    Πακέτο συσκευής προμηθευτή : P-TO220AB
    Πακέτο / Θήκη : TO-220-3

    Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.