Vishay Siliconix - SI7905DN-T1-GE3

KEY Part #: K6523514

SI7905DN-T1-GE3 Τιμολόγηση (USD) [4140τεμ]

  • 3,000 pcs$0.41599

Αριθμός εξαρτήματος:
SI7905DN-T1-GE3
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF and Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Vishay Siliconix SI7905DN-T1-GE3. Το SI7905DN-T1-GE3 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το SI7905DN-T1-GE3, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7905DN-T1-GE3 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : SI7905DN-T1-GE3
Κατασκευαστής : Vishay Siliconix
Περιγραφή : MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8
Σειρά : TrenchFET®
Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
Τύπος FET : 2 P-Channel (Dual)
FET χαρακτηριστικό : Standard
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 40V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 30nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 880pF @ 20V
Ισχύς - Μέγ : 20.8W
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο / Θήκη : PowerPAK® 1212-8 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : PowerPAK® 1212-8 Dual

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει