Αριθμός εξαρτήματος :
SIA415DJ-T1-GE3
Κατασκευαστής :
Vishay Siliconix
Περιγραφή :
MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Κατάσταση εξαρτήματος :
Obsolete
Τεχνολογία :
MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) :
20V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C :
12A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs :
47nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds :
1250pF @ 10V
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) :
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης :
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
PowerPAK® SC-70-6 Single
Πακέτο / Θήκη :
PowerPAK® SC-70-6