Infineon Technologies - IPB60R060P7ATMA1

KEY Part #: K6417116

IPB60R060P7ATMA1 Τιμολόγηση (USD) [25182τεμ]

  • 1 pcs$1.63663

Αριθμός εξαρτήματος:
IPB60R060P7ATMA1
Κατασκευαστής:
Infineon Technologies
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH TO263-3.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - Ζενέρ - Arrays, Μονάδες οδηγού ισχύος, Δίοδοι - Ανορθωτές - Ενιαίος, Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία and Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα Infineon Technologies IPB60R060P7ATMA1. Το IPB60R060P7ATMA1 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IPB60R060P7ATMA1, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB60R060P7ATMA1 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IPB60R060P7ATMA1
Κατασκευαστής : Infineon Technologies
Περιγραφή : MOSFET N-CH TO263-3
Σειρά : CoolMOS™ P7
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 650V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 48A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 800µA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 67nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 2895pF @ 400V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 164W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : D²PAK (TO-263AB)
Πακέτο / Θήκη : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.

  • FDD5N60NZTM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V DPAK-3.

  • IRLR2908TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • IRFR3806TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 43A DPAK.