ISL9R18120G2 Τιμολόγηση (USD) [26720τεμ]
- 1 pcs$1.58211
- 10 pcs$1.42082
- 100 pcs$1.10458
- 500 pcs$0.94031
- 1,000 pcs$0.79303
- Αριθμός εξαρτήματος:
- ISL9R18120G2
- Κατασκευαστής:
- ON Semiconductor
- Λεπτομερής περιγραφή:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247. Diodes - General Purpose, Power, Switching 18A 1200V Stealt
- Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
- Σε απόθεμα
- Διάρκεια ζωής:
- Ενας χρόνος
- Chip Από:
- Χονγκ Κονγκ
- RoHS:
- Μέθοδος πληρωμής:
-
- Τρόπος αποστολής:
- Κατηγορίες Οικογένειας:
- KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - JFET, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - RF, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - ανορθωτές - πίνακες, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Δίοδοι - Ανορθωτές γέφυρας and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ ...
- Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
- Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα ON Semiconductor ISL9R18120G2. Το ISL9R18120G2 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το ISL9R18120G2, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
ISL9R18120G2 Χαρακτηριστικά προϊόντος
Αριθμός εξαρτήματος :
ISL9R18120G2
Κατασκευαστής :
ON Semiconductor
Περιγραφή :
DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247
Σειρά :
Stealth™
Κατάσταση εξαρτήματος :
Active
Τύπος διόδου :
Standard
Τάση - DC αντίστροφη (Vr) (μέγιστη) :
1200V
Τρέχουσα - Μέση διορθωμένη (Io) :
18A
Τάση - Εμπρός (Vf) (Μέγιστο) @ Αν :
3.3V @ 18A
Ταχύτητα :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Χρόνος αντεπιστροφής (trr) :
70ns
Ρεύμα - αντίστροφη διαρροή @ Vr :
100µA @ 1200V
Χωρητικότητα @ Vr, F :
-
Τύπος συναρμολόγησης :
Through Hole
Πακέτο / Θήκη :
TO-247-2
Πακέτο συσκευής προμηθευτή :
TO-247-2
Θερμοκρασία λειτουργίας - Σύνδεση :
-55°C ~ 150°C
Τελευταία νέα
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
-
CDBDSC8650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 8A 650V
-
CDBDSC10650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V
-
CDBDSC5650-G
Comchip Technology
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V
-
-
-
Hot Parts
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18