GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-247

KEY Part #: K6404176

Κατηγορίες Οικογένειας:: KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Δίοδοι - μεταβλητή χωρητικότητα (Varicaps, Varacto, Τρανζίστορ - IGBTs - Arrays, Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία, Δίοδοι - RF, Μονάδες οδηγού ισχύος and Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays ...

Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:: Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247. Το GA10JT12-247 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το GA10JT12-247, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com

Αριθμός εξαρτήματος : GA10JT12-247

Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor

Περιγραφή : TRANS SJT 1.2KV 10A

Σειρά : -

Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete

Τύπος FET : -

Τεχνολογία : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1200V

Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)

Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 10A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -

FET χαρακτηριστικό : -

Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 170W (Tc)

Θερμοκρασία λειτουργίας : 175°C (TJ)

Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247AB

Πακέτο / Θήκη : TO-247-3

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει

NP60N055VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.
NP60N04VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.
AUIRLR024Z

Infineon Technologies

MOSFET N CH 55V 16A DPAK.
AUIRFR4292

Infineon Technologies

MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.
IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK.
TK16A60W5,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.

Hot Parts