GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-247

KEY Part #: K6404176

GA10JT12-247 Τιμολόγηση (USD) [2103τεμ]

  • 1 pcs$10.16943
  • 10 pcs$9.24469
  • 25 pcs$8.55122
  • 100 pcs$7.47449
  • 250 pcs$6.81498

Αριθμός εξαρτήματος:
GA10JT12-247
Κατασκευαστής:
GeneSiC Semiconductor
Λεπτομερής περιγραφή:
TRANS SJT 1.2KV 10A.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, προκαταρκτικ, Θυρίστορ - SCR - Μονάδες, Θυρίστορες - TRIAC, Τρανζίστορ - IGBTs - Ενότητες, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Τρανζίστορ - Διπολική (BJT) - Ενιαία, Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - Ενιαίος and Τρανζίστορ - Προγραμματιζόμενη Unijunction ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247. Το GA10JT12-247 μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το GA10JT12-247, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA10JT12-247 Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : GA10JT12-247
Κατασκευαστής : GeneSiC Semiconductor
Περιγραφή : TRANS SJT 1.2KV 10A
Σειρά : -
Κατάσταση εξαρτήματος : Obsolete
Τύπος FET : -
Τεχνολογία : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1200V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 10A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 10A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 170W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : 175°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : TO-247AB
Πακέτο / Θήκη : TO-247-3
Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • NP60N055VUK-E1-AY

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.

  • NP60N04VUK-E1-AY

    Renesas Electronics America

    MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.

  • AUIRLR024Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

  • AUIRFR4292

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

  • IRFR7440PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

  • TK16A60W5,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.