IXYS - IXFR4N100Q

KEY Part #: K6410153

IXFR4N100Q Τιμολόγηση (USD) [7392τεμ]

  • 1 pcs$6.13454

Αριθμός εξαρτήματος:
IXFR4N100Q
Κατασκευαστής:
IXYS
Λεπτομερής περιγραφή:
MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247.
Προκαταρκτικός χρόνος παράδοσης του κατασκευαστή:
Σε απόθεμα
Διάρκεια ζωής:
Ενας χρόνος
Chip Από:
Χονγκ Κονγκ
RoHS:
Μέθοδος πληρωμής:
Τρόπος αποστολής:
Κατηγορίες Οικογένειας:
KEY Components Co, Ltd είναι ένας ηλεκτρονικός διανομέας εξαρτημάτων που προσφέρει κατηγορίες προϊόντων συμπεριλαμβανομένων: Τρανζίστορ - FETs, MOSFETs - RF, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Arrays, Θυρίστορες - DIAC, SIDAC, Τρανζίστορ - Διπολικά (BJT) - Συστοιχίες, προκαθορ, Μονάδες οδηγού ισχύος, Τρανζίστορ - IGBT - Ενιαίος, Τρανζίστορ - Ειδικός Σκοπός and Δίοδοι - Ζενέρ - Ενιαία ...
Ανταγωνιστικό πλεονέκτημα:
Ειδικευόμαστε σε ηλεκτρονικά εξαρτήματα IXYS IXFR4N100Q. Το IXFR4N100Q μπορεί να αποσταλεί εντός 24 ωρών από την παραγγελία. Εάν έχετε οποιεσδήποτε απαιτήσεις για το IXFR4N100Q, παρακαλούμε να υποβάλετε μια αίτηση για προσφορά εδώ ή να μας στείλετε ένα email: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFR4N100Q Χαρακτηριστικά προϊόντος

Αριθμός εξαρτήματος : IXFR4N100Q
Κατασκευαστής : IXYS
Περιγραφή : MOSFET N-CH 1KV 3.5A ISOPLUS247
Σειρά : HiPerFET™
Κατάσταση εξαρτήματος : Active
Τύπος FET : N-Channel
Τεχνολογία : MOSFET (Metal Oxide)
Εκκενώστε στην τάση πηγής (Vdss) : 1000V
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C : 3.5A (Tc)
Τάση μετάδοσης κίνησης (Μέγιστη ένταση RDS, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1.5mA
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds : 1050pF @ 25V
FET χαρακτηριστικό : -
Διακοπή ισχύος (μέγιστο) : 80W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας : -55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος συναρμολόγησης : Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή : ISOPLUS247™
Πακέτο / Θήκη : ISOPLUS247™

Μπορεί επίσης να σας ενδιαφέρει
  • VN2222LL-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • ZVN4206AV

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

  • IXTY1R4N60P

    IXYS

    MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK.

  • FCD7N60TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FDD5810

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 37A DPAK.

  • BSL211SPT

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP.